中芯国际(SMIC)今天宣布，完全自主研发的38nm NAND闪存工艺已经准备就绪，凭此成为国内唯一一家可为客户生产NAND产品的代工厂。
中芯国际的38nm闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IOT)、电视及机顶盒等应用领域，也可用于串行外设接口SPI NAND。
在此之前，中芯国际已经连续开发出了130nm、65nm等工艺的特殊NOR闪存平台，后续还会继续研发2x/1xnm NAND、3D NAND等先进工艺。
虽然中芯国际的技术和当前国际主流的20/19nm NAND闪存差了一大截，东芝、美光等的16/15nm NAND也都开始量产了，但这毕竟是中芯国际的“第一次”，实现了巨大的飞跃，打破了国际垄断，后续也值得期待。
